Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
JAN1N6145US Microchip / Microsemi
JAN1N6145US Microchip / Microsemi
JAN1N6145US Microchip / Microsemi
Артикул:
JAN1N6145US
Производитель:
Microchip / Microsemi
Описание:
JAN1N6145US Microchip / Microsemi
Характеристики
Breakdown Voltage
12.35 V
Clamping Voltage
18.2 V
Current Rating
20 uA
Ipp - Peak Pulse Current
82.4 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
C-Package-2 (MELF)
Polarity
Bidirectional
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Working Voltage
9.9 V
Описание
Подавитель ЭСР JAN1N6145US Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент JAN1N6145US Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом JAN1N6145US , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Breakdown Voltage
12.35 V
Clamping Voltage
18.2 V
Current Rating
20 uA
Ipp - Peak Pulse Current
82.4 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
C-Package-2 (MELF)
Polarity
Bidirectional
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Working Voltage
9.9 V
Описание
Подавитель ЭСР JAN1N6145US Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент JAN1N6145US Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом JAN1N6145US , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet