Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
JAN1N6173US Microchip / Microsemi
JAN1N6173US Microchip / Microsemi
JAN1N6173US Microchip / Microsemi
Артикул:
JAN1N6173US
Производитель:
Microchip / Microsemi
Описание:
JAN1N6173US Microchip / Microsemi
Характеристики
Breakdown Voltage
190 V
Clamping Voltage
273 V
Current Rating
5 uA
Ipp - Peak Pulse Current
5.5 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
C-Package-2 (MELF)
Polarity
Bidirectional
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Working Voltage
152 V
Описание
Подавитель ЭСР JAN1N6173US Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент JAN1N6173US Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом JAN1N6173US , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Breakdown Voltage
190 V
Clamping Voltage
273 V
Current Rating
5 uA
Ipp - Peak Pulse Current
5.5 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
C-Package-2 (MELF)
Polarity
Bidirectional
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Working Voltage
152 V
Описание
Подавитель ЭСР JAN1N6173US Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент JAN1N6173US Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом JAN1N6173US , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet