История:
RL2005-10.7K-140-D1
JAN1N6154AUS/TR
Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
JAN1N6474US/TR Microchip / Microsemi
JAN1N6474US/TR Microchip / Microsemi
JAN1N6474US/TR Microchip / Microsemi
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Артикул:
JAN1N6474US/TR
Производитель:
Microchip / Microsemi
Описание:
JAN1N6474US/TR Microchip / Microsemi
Характеристики
Breakdown Voltage
33 V
Clamping Voltage
47.5 V
Current Rating
5 uA
Ipp - Peak Pulse Current
181 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
C-SQ-MELF-2
Pd - Power Dissipation
3 W
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
1.5 kW
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Working Voltage
30.5 V
Описание
Подавитель ЭСР JAN1N6474US/TR Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент JAN1N6474US/TR Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом JAN1N6474US/TR , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Breakdown Voltage
33 V
Clamping Voltage
47.5 V
Current Rating
5 uA
Ipp - Peak Pulse Current
181 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
C-SQ-MELF-2
Pd - Power Dissipation
3 W
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
1.5 kW
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Working Voltage
30.5 V
Описание
Подавитель ЭСР JAN1N6474US/TR Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент JAN1N6474US/TR Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом JAN1N6474US/TR , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.