Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
JANS1N6113US Microchip / Microsemi
JANS1N6113US Microchip / Microsemi
JANS1N6113US Microchip / Microsemi
Артикул:
JANS1N6113US
Производитель:
Microchip / Microsemi
Описание:
JANS1N6113US Microchip / Microsemi
Характеристики
Breakdown Voltage
19 V
Clamping Voltage
27.7 V
Current Rating
1 uA
Ipp - Peak Pulse Current
18 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
B-Package-2 (MELF)
Polarity
Bidirectional
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Working Voltage
15.2 V
Описание
Подавитель ЭСР JANS1N6113US Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент JANS1N6113US Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом JANS1N6113US , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Breakdown Voltage
19 V
Clamping Voltage
27.7 V
Current Rating
1 uA
Ipp - Peak Pulse Current
18 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
B-Package-2 (MELF)
Polarity
Bidirectional
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Working Voltage
15.2 V
Описание
Подавитель ЭСР JANS1N6113US Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент JANS1N6113US Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом JANS1N6113US , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet