Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
JANS1N6116US Microchip / Microsemi
JANS1N6116US Microchip / Microsemi
JANS1N6116US Microchip / Microsemi
Артикул:
JANS1N6116US
Производитель:
Microchip / Microsemi
Описание:
JANS1N6116US Microchip / Microsemi
Характеристики
Breakdown Voltage
25.7 V
Clamping Voltage
37.4 V
Current Rating
1 uA
Ipp - Peak Pulse Current
13.4 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
SQ-MELF-2
Pd - Power Dissipation
3 W
Polarity
Bidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
500 W
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Working Voltage
20.6 V
Описание
Подавитель ЭСР JANS1N6116US Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент JANS1N6116US Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом JANS1N6116US , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
В наличии
Характеристики
Breakdown Voltage
25.7 V
Clamping Voltage
37.4 V
Current Rating
1 uA
Ipp - Peak Pulse Current
13.4 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
SQ-MELF-2
Pd - Power Dissipation
3 W
Polarity
Bidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
500 W
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Working Voltage
20.6 V
Описание
Подавитель ЭСР JANS1N6116US Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент JANS1N6116US Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом JANS1N6116US , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.