История:
ATP04-4P
Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
JANS1N6138US/TR Microchip / Microsemi
JANS1N6138US/TR Microchip / Microsemi
JANS1N6138US/TR Microchip / Microsemi
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Артикул:
JANS1N6138US/TR
Производитель:
Microchip / Microsemi
Описание:
JANS1N6138US/TR Microchip / Microsemi
Характеристики
Breakdown Voltage
6.46 V
Clamping Voltage
10.5 V
Ipp - Peak Pulse Current
142.8 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
C-SQ-MELF-2
Pd - Power Dissipation
3 W
Polarity
Bidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
1.5 kW
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Working Voltage
5.2 V
Описание
Подавитель ЭСР JANS1N6138US/TR Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент JANS1N6138US/TR Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом JANS1N6138US/TR , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Breakdown Voltage
6.46 V
Clamping Voltage
10.5 V
Ipp - Peak Pulse Current
142.8 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
C-SQ-MELF-2
Pd - Power Dissipation
3 W
Polarity
Bidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
1.5 kW
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Working Voltage
5.2 V
Описание
Подавитель ЭСР JANS1N6138US/TR Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент JANS1N6138US/TR Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом JANS1N6138US/TR , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.