Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
JANTX1N5610 Microchip / Microsemi
JANTX1N5610 Microchip / Microsemi
JANTX1N5610 Microchip / Microsemi
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Артикул:
JANTX1N5610
Производитель:
Microchip / Microsemi
Описание:
JANTX1N5610 Microchip / Microsemi
Характеристики
Breakdown Voltage
33 V
Clamping Voltage
47.6 A
Manufacturer
Microchip
Number of Channels
1 Channel
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
1.5 kW
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
Termination Style
Through Hole
Working Voltage
30.5 V
Описание
Подавитель ЭСР JANTX1N5610 Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент JANTX1N5610 Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом JANTX1N5610 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Breakdown Voltage
33 V
Clamping Voltage
47.6 A
Manufacturer
Microchip
Number of Channels
1 Channel
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
1.5 kW
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
Termination Style
Through Hole
Working Voltage
30.5 V
Описание
Подавитель ЭСР JANTX1N5610 Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент JANTX1N5610 Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом JANTX1N5610 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.