Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
JANTX1N6108US/TR Microchip / Microsemi
JANTX1N6108US/TR Microchip / Microsemi
JANTX1N6108US/TR Microchip / Microsemi
Артикул:
JANTX1N6108US/TR
Производитель:
Microchip / Microsemi
Описание:
JANTX1N6108US/TR Microchip / Microsemi
Характеристики
Breakdown Voltage
11.4 V
Clamping Voltage
16.9 V
Current Rating
20 uA
Ipp - Peak Pulse Current
29.6 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
B-SQ-MELF-2
Pd - Power Dissipation
2 W
Polarity
Bidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
500 W
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Working Voltage
9.1 V
Описание
Подавитель ЭСР JANTX1N6108US/TR Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент JANTX1N6108US/TR Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом JANTX1N6108US/TR , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Breakdown Voltage
11.4 V
Clamping Voltage
16.9 V
Current Rating
20 uA
Ipp - Peak Pulse Current
29.6 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
B-SQ-MELF-2
Pd - Power Dissipation
2 W
Polarity
Bidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
500 W
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Working Voltage
9.1 V
Описание
Подавитель ЭСР JANTX1N6108US/TR Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент JANTX1N6108US/TR Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом JANTX1N6108US/TR , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet