Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
MAP4KE11CAe3 Microchip / Microsemi
MAP4KE11CAe3 Microchip / Microsemi
MAP4KE11CAe3 Microchip / Microsemi
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Артикул:
Производитель:
Microchip / Microsemi
Описание:
MAP4KE11CAe3 Microchip / Microsemi
Характеристики
Breakdown Voltage
10.5 V
Clamping Voltage
15.6 V
Ipp - Peak Pulse Current
26 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Number of Channels
1 Channel
Operating Supply Voltage
9.4 V
Package/Case
DO-2024AL-2
Pd - Power Dissipation
2.5 W
Polarity
Bidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
400 W
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
Details
Termination Style
Axial
Working Voltage
9.4 V
Описание
Подавитель ЭСР MAP4KE11CAe3 Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MAP4KE11CAe3 Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MAP4KE11CAe3 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Breakdown Voltage
10.5 V
Clamping Voltage
15.6 V
Ipp - Peak Pulse Current
26 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Number of Channels
1 Channel
Operating Supply Voltage
9.4 V
Package/Case
DO-2024AL-2
Pd - Power Dissipation
2.5 W
Polarity
Bidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
400 W
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
Details
Termination Style
Axial
Working Voltage
9.4 V
Описание
Подавитель ЭСР MAP4KE11CAe3 Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MAP4KE11CAe3 Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MAP4KE11CAe3 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.