История:
C8051F524A-IMR
PIC18F23K20-I/SO
C8051F531-C-IM
Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
MQ1N8151US Microchip / Microsemi
MQ1N8151US Microchip / Microsemi
MQ1N8151US Microchip / Microsemi
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Артикул:
Производитель:
Microchip / Microsemi
Описание:
MQ1N8151US Microchip / Microsemi
Характеристики
Breakdown Voltage
9.5 V
Cd - Diode Capacitance
4 pF
Clamping Voltage
14.5 V
Manufacturer
Microchip
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
A-Package-2 (MELF)
Polarity
Unidirectional
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Working Voltage
8.5 V
Описание
Подавитель ЭСР MQ1N8151US Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MQ1N8151US Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MQ1N8151US , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Breakdown Voltage
9.5 V
Cd - Diode Capacitance
4 pF
Clamping Voltage
14.5 V
Manufacturer
Microchip
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
A-Package-2 (MELF)
Polarity
Unidirectional
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Working Voltage
8.5 V
Описание
Подавитель ЭСР MQ1N8151US Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MQ1N8151US Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MQ1N8151US , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.