Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
MQ1N8157US Microchip / Microsemi
MQ1N8157US Microchip / Microsemi
MQ1N8157US Microchip / Microsemi
Характеристики
Breakdown Voltage
17.1 V
Cd - Diode Capacitance
4 pF
Clamping Voltage
25.1 V
Manufacturer
Microchip
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
A-Package-2 (MELF)
Polarity
Unidirectional
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Working Voltage
15 V
Описание
Подавитель ЭСР MQ1N8157US Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MQ1N8157US Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MQ1N8157US , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Breakdown Voltage
17.1 V
Cd - Diode Capacitance
4 pF
Clamping Voltage
25.1 V
Manufacturer
Microchip
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
A-Package-2 (MELF)
Polarity
Unidirectional
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Working Voltage
15 V
Описание
Подавитель ЭСР MQ1N8157US Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MQ1N8157US Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MQ1N8157US , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet