Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
MQ1N8163US Microchip / Microsemi
MQ1N8163US Microchip / Microsemi
MQ1N8163US Microchip / Microsemi
Характеристики
Breakdown Voltage
31.4 V
Cd - Diode Capacitance
4 pF
Clamping Voltage
45.7 V
Current Rating
500 nA
Ipp - Peak Pulse Current
3.28 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
A-Package-2 (MELF)
Polarity
Unidirectional
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Working Voltage
28 V
Описание
Подавитель ЭСР MQ1N8163US Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MQ1N8163US Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MQ1N8163US , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Breakdown Voltage
31.4 V
Cd - Diode Capacitance
4 pF
Clamping Voltage
45.7 V
Current Rating
500 nA
Ipp - Peak Pulse Current
3.28 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
A-Package-2 (MELF)
Polarity
Unidirectional
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Working Voltage
28 V
Описание
Подавитель ЭСР MQ1N8163US Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MQ1N8163US Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MQ1N8163US , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet