Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
MS1N8157 Microchip / Microsemi
MS1N8157 Microchip / Microsemi
MS1N8157 Microchip / Microsemi
Характеристики
Breakdown Voltage
17.1 V
Cd - Diode Capacitance
4 pF
Clamping Voltage
25.1 V
Current Rating
1 uA
Ipp - Peak Pulse Current
5.98 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
A-Package-2
Polarity
Unidirectional
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
Axial
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Working Voltage
15 V
Описание
Подавитель ЭСР MS1N8157 Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MS1N8157 Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MS1N8157 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Breakdown Voltage
17.1 V
Cd - Diode Capacitance
4 pF
Clamping Voltage
25.1 V
Current Rating
1 uA
Ipp - Peak Pulse Current
5.98 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
A-Package-2
Polarity
Unidirectional
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
Axial
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Working Voltage
15 V
Описание
Подавитель ЭСР MS1N8157 Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MS1N8157 Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MS1N8157 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet