Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
MX1N8179US Microchip / Microsemi
MX1N8179US Microchip / Microsemi
MX1N8179US Microchip / Microsemi
Характеристики
Breakdown Voltage
138 V
Cd - Diode Capacitance
4 pF
Clamping Voltage
208 V
Manufacturer
Microchip
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
A-Package-2 (MELF)
Polarity
Unidirectional
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Working Voltage
120 V
Описание
Подавитель ЭСР MX1N8179US Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MX1N8179US Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MX1N8179US , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Breakdown Voltage
138 V
Cd - Diode Capacitance
4 pF
Clamping Voltage
208 V
Manufacturer
Microchip
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
A-Package-2 (MELF)
Polarity
Unidirectional
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Working Voltage
120 V
Описание
Подавитель ЭСР MX1N8179US Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MX1N8179US Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MX1N8179US , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet