Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
MXSMBG10A Microchip / Microsemi
MXSMBG10A Microchip / Microsemi
MXSMBG10A Microchip / Microsemi
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Артикул:
Производитель:
Microchip / Microsemi
Описание:
MXSMBG10A Microchip / Microsemi
Характеристики
Breakdown Voltage
11.1 V
Clamping Voltage
17 V
Ipp - Peak Pulse Current
35.3 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Number of Channels
1 Channel
Operating Supply Voltage
10 V
Package/Case
DO-215AA-2
Pd - Power Dissipation
1.38 W
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
600 W
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Unit Weight
100 mg
Working Voltage
10 V
Описание
Подавитель ЭСР MXSMBG10A Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MXSMBG10A Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MXSMBG10A , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Breakdown Voltage
11.1 V
Clamping Voltage
17 V
Ipp - Peak Pulse Current
35.3 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Number of Channels
1 Channel
Operating Supply Voltage
10 V
Package/Case
DO-215AA-2
Pd - Power Dissipation
1.38 W
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
600 W
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Unit Weight
100 mg
Working Voltage
10 V
Описание
Подавитель ЭСР MXSMBG10A Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MXSMBG10A Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MXSMBG10A , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.