Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
MXSMBJ12A/TR Microchip / Microsemi
MXSMBJ12A/TR Microchip / Microsemi
MXSMBJ12A/TR Microchip / Microsemi
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Артикул:
MXSMBJ12A/TR
Производитель:
Microchip / Microsemi
Описание:
MXSMBJ12A/TR Microchip / Microsemi
Характеристики
Breakdown Voltage
13.3 V
Cd - Diode Capacitance
-
Clamping Voltage
19.9 V
Ipp - Peak Pulse Current
30.2 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
DO-214AA-2
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
600 W
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Working Voltage
12 V
Описание
Подавитель ЭСР MXSMBJ12A/TR Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MXSMBJ12A/TR Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MXSMBJ12A/TR , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Breakdown Voltage
13.3 V
Cd - Diode Capacitance
-
Clamping Voltage
19.9 V
Ipp - Peak Pulse Current
30.2 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
DO-214AA-2
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
600 W
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Working Voltage
12 V
Описание
Подавитель ЭСР MXSMBJ12A/TR Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MXSMBJ12A/TR Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MXSMBJ12A/TR , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.