Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
MXSMBJ30A Microchip / Microsemi
MXSMBJ30A Microchip / Microsemi
MXSMBJ30A Microchip / Microsemi
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Артикул:
Производитель:
Microchip / Microsemi
Описание:
MXSMBJ30A Microchip / Microsemi
Характеристики
Breakdown Voltage
33.3 V
Clamping Voltage
48.4 V
Ipp - Peak Pulse Current
12.4 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Number of Channels
1 Channel
Operating Supply Voltage
30 V
Package/Case
DO-214AA-2
Pd - Power Dissipation
1.38 W
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
600 W
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Unit Weight
100 mg
Working Voltage
30 V
Описание
Подавитель ЭСР MXSMBJ30A Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MXSMBJ30A Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MXSMBJ30A , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Breakdown Voltage
33.3 V
Clamping Voltage
48.4 V
Ipp - Peak Pulse Current
12.4 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Number of Channels
1 Channel
Operating Supply Voltage
30 V
Package/Case
DO-214AA-2
Pd - Power Dissipation
1.38 W
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
600 W
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Unit Weight
100 mg
Working Voltage
30 V
Описание
Подавитель ЭСР MXSMBJ30A Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MXSMBJ30A Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MXSMBJ30A , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.