История:
3413.0331.24
Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
MXSMCG110A Microchip / Microsemi
MXSMCG110A Microchip / Microsemi
MXSMCG110A Microchip / Microsemi
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Breakdown Voltage
122 V
Clamping Voltage
177 V
Ipp - Peak Pulse Current
8.4 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Number of Channels
1 Channel
Operating Supply Voltage
110 V
Package/Case
DO-215AB-2
Pd - Power Dissipation
1.56 W
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
1.5 kW
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Unit Weight
250 mg
Working Voltage
110 V
Описание
Подавитель ЭСР MXSMCG110A Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MXSMCG110A Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MXSMCG110A , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Breakdown Voltage
122 V
Clamping Voltage
177 V
Ipp - Peak Pulse Current
8.4 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Number of Channels
1 Channel
Operating Supply Voltage
110 V
Package/Case
DO-215AB-2
Pd - Power Dissipation
1.56 W
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
1.5 kW
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Unit Weight
250 mg
Working Voltage
110 V
Описание
Подавитель ЭСР MXSMCG110A Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MXSMCG110A Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MXSMCG110A , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.