История:
STM32G474QCT6
AT04-08PD-PM15
AT04-08PC-BM02
Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
MXSMCJ30A Microchip / Microsemi
MXSMCJ30A Microchip / Microsemi
MXSMCJ30A Microchip / Microsemi
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Breakdown Voltage
33.3 V
Clamping Voltage
48.4 V
Ipp - Peak Pulse Current
31 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Number of Channels
1 Channel
Operating Supply Voltage
30 V
Package/Case
DO-214AB-2
Pd - Power Dissipation
1.56 W
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
1.5 kW
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Unit Weight
250 mg
Working Voltage
30 V
Описание
Подавитель ЭСР MXSMCJ30A Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MXSMCJ30A Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MXSMCJ30A , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Breakdown Voltage
33.3 V
Clamping Voltage
48.4 V
Ipp - Peak Pulse Current
31 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Number of Channels
1 Channel
Operating Supply Voltage
30 V
Package/Case
DO-214AB-2
Pd - Power Dissipation
1.56 W
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
1.5 kW
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Unit Weight
250 mg
Working Voltage
30 V
Описание
Подавитель ЭСР MXSMCJ30A Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MXSMCJ30A Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MXSMCJ30A , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.