Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
MXSMLJ11CA Microchip / Microsemi
MXSMLJ11CA Microchip / Microsemi
MXSMLJ11CA Microchip / Microsemi
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Breakdown Voltage
12.2 V
Clamping Voltage
18.2 V
Ipp - Peak Pulse Current
164.8 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Number of Channels
1 Channel
Operating Supply Voltage
11 V
Package/Case
DO-214AB-2
Pd - Power Dissipation
1.61 W
Polarity
Bidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
3 kW
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Unit Weight
250 mg
Working Voltage
11 V
Описание
Подавитель ЭСР MXSMLJ11CA Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MXSMLJ11CA Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MXSMLJ11CA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Breakdown Voltage
12.2 V
Clamping Voltage
18.2 V
Ipp - Peak Pulse Current
164.8 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Number of Channels
1 Channel
Operating Supply Voltage
11 V
Package/Case
DO-214AB-2
Pd - Power Dissipation
1.61 W
Polarity
Bidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
3 kW
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Unit Weight
250 mg
Working Voltage
11 V
Описание
Подавитель ЭСР MXSMLJ11CA Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MXSMLJ11CA Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MXSMLJ11CA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.