Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
MXUPTB33 Microchip / Microsemi
MXUPTB33 Microchip / Microsemi
MXUPTB33 Microchip / Microsemi
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Артикул:
Производитель:
Microchip / Microsemi
Описание:
MXUPTB33 Microchip / Microsemi
Характеристики
Breakdown Voltage
36.8 V
Clamping Voltage
56.7 V
Current Rating
1 uA
Ipp - Peak Pulse Current
2.65 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
DO-216AA-2
Polarity
Bidirectional
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Working Voltage
33 V
Описание
Подавитель ЭСР MXUPTB33 Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MXUPTB33 Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MXUPTB33 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Breakdown Voltage
36.8 V
Clamping Voltage
56.7 V
Current Rating
1 uA
Ipp - Peak Pulse Current
2.65 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
DO-216AA-2
Polarity
Bidirectional
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
N
Termination Style
SMD/SMT
Working Voltage
33 V
Описание
Подавитель ЭСР MXUPTB33 Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MXUPTB33 Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MXUPTB33 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.