Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
SM8S33AHE3_A/I Vishay General Semiconductor
SM8S33AHE3_A/I Vishay General Semiconductor
SM8S33AHE3_A/I Vishay General Semiconductor
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Артикул:
SM8S33AHE3_A/I
Производитель:
Vishay General Semiconductor
Описание:
SM8S33AHE3_A/I Vishay General Semiconductor
Характеристики
Breakdown Voltage
40.6 V
Cd - Diode Capacitance
-
Clamping Voltage
53.3 V
Manufacturer
Vishay
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
DO-218AB-2
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
6.6 kW
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
Details
Termination Style
SMD/SMT
Unit Weight
2,600 g
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Working Voltage
33 V
Описание
Подавитель ЭСР SM8S33AHE3_A/I Vishay General Semiconductor
В каталоге Components.by представлен электронный компонент SM8S33AHE3_A/I Vishay General Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом SM8S33AHE3_A/I , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Breakdown Voltage
40.6 V
Cd - Diode Capacitance
-
Clamping Voltage
53.3 V
Manufacturer
Vishay
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
DO-218AB-2
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
6.6 kW
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
Details
Termination Style
SMD/SMT
Unit Weight
2,600 g
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Working Voltage
33 V
Описание
Подавитель ЭСР SM8S33AHE3_A/I Vishay General Semiconductor
В каталоге Components.by представлен электронный компонент SM8S33AHE3_A/I Vishay General Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом SM8S33AHE3_A/I , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.