Главная
Каталог
Защита от замыкания
Подавители ЭСР диоды для подавления переходных скачков напряжения
UPTB8e3/TR7 Microchip / Microsemi
UPTB8e3/TR7 Microchip / Microsemi
UPTB8e3/TR7 Microchip / Microsemi
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Артикул:
Производитель:
Microchip / Microsemi
Описание:
UPTB8e3/TR7 Microchip / Microsemi
Характеристики
Breakdown Voltage
9 V
Clamping Voltage
13.7 V
Current Rating
2 uA
Ipp - Peak Pulse Current
10.9 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
DO-216AA-2
Pd - Power Dissipation
2.5 W
Polarity
Bidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
1 kW
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
Details
Termination Style
SMD/SMT
Working Voltage
8 V
Описание
Подавитель ЭСР UPTB8e3/TR7 Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент UPTB8e3/TR7 Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом UPTB8e3/TR7 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Breakdown Voltage
9 V
Clamping Voltage
13.7 V
Current Rating
2 uA
Ipp - Peak Pulse Current
10.9 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Number of Channels
1 Channel
Package/Case
DO-216AA-2
Pd - Power Dissipation
2.5 W
Polarity
Bidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
1 kW
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
Product Type
TVS Diodes
RoHS
Details
Termination Style
SMD/SMT
Working Voltage
8 V
Описание
Подавитель ЭСР UPTB8e3/TR7 Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент UPTB8e3/TR7 Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом UPTB8e3/TR7 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.