BT258U-600R,127 WeEn Semiconductors
BT258U-600R,127 WeEn Semiconductors
Изображение служит только для ознакомления. См. спецификацию продукта.
|
Manufacturer |
WeEn Semiconductors |
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM |
600 V |
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM |
100 uA |
On-State RMS Current - It RMS |
8 A |
Maximum Gate Peak Inverse Voltage |
5 V |
Gate Trigger Voltage - Vgt |
400 mV |
Gate Trigger Current - Igt |
50 uA |
Holding Current Ih Max |
6 mA |
Maximum Operating Temperature |
+ 125 C |
Minimum Operating Temperature |
- 40 C |
Non Repetitive On-State Current |
82 A |
Vf - Forward Voltage |
1.3 V |
Height |
6.22 mm |
Width |
2.38 mm |
Unit Weight |
2 mg |
Breakover Current IBO Max |
82 A |
Factory Pack Quantity |
3750 |
Length |
6.73 mm |
Mounting Style |
SMD/SMT |
Package/Case |
SOT-533 |
Part # Aliases |
934056000000 |
Product Category |
SCRs |
Subcategory |
Thyristors |
Комплектное тиристорное устройство (SCR) BT258U-600R,127 WeEn Semiconductors
В каталоге Components.by представлен электронный компонент BT258U-600R,127 WeEn Semiconductors . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BT258U-600R,127 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
PDF
Запросить цену на BT258U-600R,127 WeEn Semiconductors
Вернуться назад
|