КТУ (SCR) MCNA650PD2200CB IXYS
КТУ (SCR) MCNA650PD2200CB IXYS
Характеристики
Manufacturer
IXYS
On-State RMS Current - It RMS
1.2 kA
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM
2.2 kV
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM
2 mA
On-State Voltage
1.19 V
Holding Current Ih Max
300 mA
Gate Trigger Voltage - Vgt
2 V
Gate Trigger Current - Igt
300 mA
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Brand
IXYS
Breakover Current IBO Max
17.3 kA
Factory Pack Quantity
3
Mounting Style
Screw Mount
Non Repetitive On-State Current
16 kA
Product Category
SCR Modules
Product Type
SCR Modules
Subcategory
Thyristors
Technology
Si
Описание
Модуль КТУ (SCR) MCNA650PD2200CB
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MCNA650PD2200CB IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MCNA650PD2200CB , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
On-State RMS Current - It RMS
1.2 kA
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM
2.2 kV
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM
2 mA
On-State Voltage
1.19 V
Holding Current Ih Max
300 mA
Gate Trigger Voltage - Vgt
2 V
Gate Trigger Current - Igt
300 mA
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Brand
IXYS
Breakover Current IBO Max
17.3 kA
Factory Pack Quantity
3
Mounting Style
Screw Mount
Non Repetitive On-State Current
16 kA
Product Category
SCR Modules
Product Type
SCR Modules
Subcategory
Thyristors
Technology
Si
Описание
Модуль КТУ (SCR) MCNA650PD2200CB
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MCNA650PD2200CB IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MCNA650PD2200CB , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet