КТУ (SCR) VS-P123 Vishay Semiconductors
КТУ (SCR) VS-P123 Vishay Semiconductors
Изображение служит только для ознакомления. См. спецификацию продукта.
|
Manufacturer |
Vishay |
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM |
800 V |
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM |
10 mA |
On-State Voltage |
1.35 V |
Holding Current Ih Max |
130 mA |
Gate Trigger Voltage - Vgt |
2 V |
Gate Trigger Current - Igt |
60 mA |
Current Rating |
25 A |
Minimum Operating Temperature |
- 40 C |
Maximum Operating Temperature |
+ 125 C |
Unit Weight |
58 g |
Brand |
Vishay Semiconductors |
Breakover Current IBO Max |
375 A |
Circuit Type |
Thyristors / Diodes |
Factory Pack Quantity |
10 |
Mounting Style |
SMD/SMT |
Non Repetitive On-State Current |
357 A |
Package/Case |
PACE-PAK (D-19) |
Packaging |
Bulk |
Product Category |
SCR Modules |
Product Type |
SCR Modules |
RoHS |
Details |
Series |
VS-P100 |
Subcategory |
Thyristors |
Technology |
Si |
Модуль КТУ (SCR) VS-P123
В каталоге Components.by представлен электронный компонент VS-P123 Vishay Semiconductors . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом VS-P123 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
PDF
Запросить цену на КТУ (SCR) VS-P123 Vishay Semiconductors
Вернуться назад
|