Модуль КТУ (SCR) T2351N52TOH
Модуль КТУ (SCR) T2351N52TOH
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM
5200 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM
200 mA
Holding Current Ih Max
350 mA
Gate Trigger Voltage - Vgt
2.5 V
Gate Trigger Current - Igt
350 mA
Current Rating
3.2 A
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Brand
Infineon Technologies
Circuit Type
PCT
Factory Pack Quantity
1
Non Repetitive On-State Current
55000 A
Package/Case
T-12026K
Packaging
Tray
Product Category
SCR Modules
Product Type
SCR Modules
Subcategory
Thyristors
Technology
Si
Описание
Модуль КТУ (SCR) T2351N52TOH
В каталоге Components.by представлен электронный компонент T2351N52TOH Infineon Technologies . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом T2351N52TOH , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM
5200 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM
200 mA
Holding Current Ih Max
350 mA
Gate Trigger Voltage - Vgt
2.5 V
Gate Trigger Current - Igt
350 mA
Current Rating
3.2 A
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Brand
Infineon Technologies
Circuit Type
PCT
Factory Pack Quantity
1
Non Repetitive On-State Current
55000 A
Package/Case
T-12026K
Packaging
Tray
Product Category
SCR Modules
Product Type
SCR Modules
Subcategory
Thyristors
Technology
Si
Описание
Модуль КТУ (SCR) T2351N52TOH
В каталоге Components.by представлен электронный компонент T2351N52TOH Infineon Technologies . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом T2351N52TOH , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet