BTA2008-1000DN/L03EP WeEn Semiconductors
BTA2008-1000DN/L03EP WeEn Semiconductors
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Артикул:
BTA2008-1000DN/L03EP
Производитель:
WeEn Semiconductors
Описание:
BTA2008-1000DN/L03EP WeEn Semiconductors
Характеристики
Manufacturer
WeEn Semiconductors
On-State RMS Current - It RMS
0.8 A
Non Repetitive On-State Current
9 A, 9.9 A
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM
1000 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM
10 uA
On-State Voltage
1.6 V
Gate Trigger Voltage - Vgt
0.85 V
Gate Trigger Current - Igt
5 mA
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Holding Current Ih Max
10 mA
Brand
WeEn Semiconductors
Factory Pack Quantity
2000
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-92-3
Packaging
Bulk
Product Category
Triacs
RoHS
Details
Subcategory
Thyristors
Описание
BTA2008-1000DN/L03EP WeEn Semiconductors
В каталоге Components.by представлен электронный компонент BTA2008-1000DN/L03EP WeEn Semiconductors . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BTA2008-1000DN/L03EP , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Manufacturer
WeEn Semiconductors
On-State RMS Current - It RMS
0.8 A
Non Repetitive On-State Current
9 A, 9.9 A
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM
1000 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM
10 uA
On-State Voltage
1.6 V
Gate Trigger Voltage - Vgt
0.85 V
Gate Trigger Current - Igt
5 mA
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Holding Current Ih Max
10 mA
Brand
WeEn Semiconductors
Factory Pack Quantity
2000
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-92-3
Packaging
Bulk
Product Category
Triacs
RoHS
Details
Subcategory
Thyristors
Описание
BTA2008-1000DN/L03EP WeEn Semiconductors
В каталоге Components.by представлен электронный компонент BTA2008-1000DN/L03EP WeEn Semiconductors . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BTA2008-1000DN/L03EP , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.