BTA201-600E/L02EP WeEn Semiconductors
BTA201-600E/L02EP WeEn Semiconductors
Артикул:
BTA201-600E/L02EP
Производитель:
WeEn Semiconductors
Описание:
BTA201-600E/L02EP WeEn Semiconductors
Характеристики
Manufacturer
WeEn Semiconductors
On-State RMS Current - It RMS
1 A
Non Repetitive On-State Current
12.5 A
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM
600 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM
-
On-State Voltage
1.2 V
Gate Trigger Voltage - Vgt
0.7 V
Gate Trigger Current - Igt
10 mA
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Unit Weight
217 mg
Holding Current Ih Max
12 mA
Brand
WeEn Semiconductors
Factory Pack Quantity
2000
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-92-3
Product Category
Triacs
RoHS
Details
Subcategory
Thyristors
Описание
BTA201-600E/L02EP WeEn Semiconductors
В каталоге Components.by представлен электронный компонент BTA201-600E/L02EP WeEn Semiconductors . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BTA201-600E/L02EP , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
WeEn Semiconductors
On-State RMS Current - It RMS
1 A
Non Repetitive On-State Current
12.5 A
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM
600 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM
-
On-State Voltage
1.2 V
Gate Trigger Voltage - Vgt
0.7 V
Gate Trigger Current - Igt
10 mA
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Unit Weight
217 mg
Holding Current Ih Max
12 mA
Brand
WeEn Semiconductors
Factory Pack Quantity
2000
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-92-3
Product Category
Triacs
RoHS
Details
Subcategory
Thyristors
Описание
BTA201-600E/L02EP WeEn Semiconductors
В каталоге Components.by представлен электронный компонент BTA201-600E/L02EP WeEn Semiconductors . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BTA201-600E/L02EP , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet