BTA216-600B/DG,127 WeEn Semiconductors
BTA216-600B/DG,127 WeEn Semiconductors
Артикул:
BTA216-600B/DG,127
Производитель:
WeEn Semiconductors
Описание:
BTA216-600B/DG,127 WeEn Semiconductors
Характеристики
Manufacturer
WeEn Semiconductors
On-State RMS Current - It RMS
16 A
Non Repetitive On-State Current
150 A
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM
600 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM
0.1 mA
On-State Voltage
1.2 V
Gate Trigger Voltage - Vgt
0.7 V
Gate Trigger Current - Igt
34 mA
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Unit Weight
6 g
Holding Current Ih Max
60 mA
Brand
WeEn Semiconductors
Factory Pack Quantity
1000
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-220AB-3
Product Category
Triacs
RoHS
Details
Subcategory
Thyristors
Описание
BTA216-600B/DG,127 WeEn Semiconductors
В каталоге Components.by представлен электронный компонент BTA216-600B/DG,127 WeEn Semiconductors . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BTA216-600B/DG,127 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
WeEn Semiconductors
On-State RMS Current - It RMS
16 A
Non Repetitive On-State Current
150 A
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM
600 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM
0.1 mA
On-State Voltage
1.2 V
Gate Trigger Voltage - Vgt
0.7 V
Gate Trigger Current - Igt
34 mA
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Unit Weight
6 g
Holding Current Ih Max
60 mA
Brand
WeEn Semiconductors
Factory Pack Quantity
1000
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-220AB-3
Product Category
Triacs
RoHS
Details
Subcategory
Thyristors
Описание
BTA216-600B/DG,127 WeEn Semiconductors
В каталоге Components.by представлен электронный компонент BTA216-600B/DG,127 WeEn Semiconductors . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BTA216-600B/DG,127 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet