История:
SMA6F51A-M3/H
MIMX8MN5CVTIZAA
BTA312G-600CTQ WeEn Semiconductors
BTA312G-600CTQ WeEn Semiconductors
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Артикул:
BTA312G-600CTQ
Производитель:
WeEn Semiconductors
Описание:
BTA312G-600CTQ WeEn Semiconductors
Характеристики
Manufacturer
WeEn Semiconductors
On-State RMS Current - It RMS
12 A
Non Repetitive On-State Current
100 A
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM
600 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM
-
On-State Voltage
1.6 V
Gate Trigger Voltage - Vgt
0.8 V
Gate Trigger Current - Igt
35 mA
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Holding Current Ih Max
35 mA
Brand
WeEn Semiconductors
Factory Pack Quantity
1000
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
I2PAK-3
Product Category
Triacs
RoHS
Details
Subcategory
Thyristors
Описание
BTA312G-600CTQ WeEn Semiconductors
В каталоге Components.by представлен электронный компонент BTA312G-600CTQ WeEn Semiconductors . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BTA312G-600CTQ , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Manufacturer
WeEn Semiconductors
On-State RMS Current - It RMS
12 A
Non Repetitive On-State Current
100 A
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM
600 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM
-
On-State Voltage
1.6 V
Gate Trigger Voltage - Vgt
0.8 V
Gate Trigger Current - Igt
35 mA
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Holding Current Ih Max
35 mA
Brand
WeEn Semiconductors
Factory Pack Quantity
1000
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
I2PAK-3
Product Category
Triacs
RoHS
Details
Subcategory
Thyristors
Описание
BTA312G-600CTQ WeEn Semiconductors
В каталоге Components.by представлен электронный компонент BTA312G-600CTQ WeEn Semiconductors . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BTA312G-600CTQ , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.