BTA316-600ET/DGQ WeEn Semiconductors
BTA316-600ET/DGQ WeEn Semiconductors
Артикул:
BTA316-600ET/DGQ
Производитель:
WeEn Semiconductors
Описание:
BTA316-600ET/DGQ WeEn Semiconductors
Характеристики
Manufacturer
WeEn Semiconductors
On-State RMS Current - It RMS
16 A
Non Repetitive On-State Current
140 A
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM
600 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM
-
On-State Voltage
1.3 V
Gate Trigger Voltage - Vgt
0.8 V
Gate Trigger Current - Igt
10 mA
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Unit Weight
1,800 g
Holding Current Ih Max
15 mA
Brand
WeEn Semiconductors
Factory Pack Quantity
1000
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-220AB-3
Product Category
Triacs
RoHS
Details
Subcategory
Thyristors
Описание
BTA316-600ET/DGQ WeEn Semiconductors
В каталоге Components.by представлен электронный компонент BTA316-600ET/DGQ WeEn Semiconductors . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BTA316-600ET/DGQ , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
WeEn Semiconductors
On-State RMS Current - It RMS
16 A
Non Repetitive On-State Current
140 A
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM
600 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM
-
On-State Voltage
1.3 V
Gate Trigger Voltage - Vgt
0.8 V
Gate Trigger Current - Igt
10 mA
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Unit Weight
1,800 g
Holding Current Ih Max
15 mA
Brand
WeEn Semiconductors
Factory Pack Quantity
1000
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-220AB-3
Product Category
Triacs
RoHS
Details
Subcategory
Thyristors
Описание
BTA316-600ET/DGQ WeEn Semiconductors
В каталоге Components.by представлен электронный компонент BTA316-600ET/DGQ WeEn Semiconductors . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BTA316-600ET/DGQ , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet