История:
BTA201-600E/L02EP
025830
BTA316B-600B0J WeEn Semiconductors
BTA316B-600B0J WeEn Semiconductors
Артикул:
BTA316B-600B0J
Производитель:
WeEn Semiconductors
Описание:
BTA316B-600B0J WeEn Semiconductors
Характеристики
Manufacturer
WeEn Semiconductors
On-State RMS Current - It RMS
16 A
Non Repetitive On-State Current
150 A
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM
600 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM
0.1 mA
On-State Voltage
1.3 V
Gate Trigger Voltage - Vgt
0.8 V
Gate Trigger Current - Igt
50 mA
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Holding Current Ih Max
60 mA
Brand
WeEn Semiconductors
Factory Pack Quantity
800
Mounting Style
SMD/SMT
Package/Case
D2PAK-3
Packaging
Reel
Product Category
Triacs
RoHS
Details
Subcategory
Thyristors
Описание
BTA316B-600B0J WeEn Semiconductors
В каталоге Components.by представлен электронный компонент BTA316B-600B0J WeEn Semiconductors . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BTA316B-600B0J , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
WeEn Semiconductors
On-State RMS Current - It RMS
16 A
Non Repetitive On-State Current
150 A
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM
600 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM
0.1 mA
On-State Voltage
1.3 V
Gate Trigger Voltage - Vgt
0.8 V
Gate Trigger Current - Igt
50 mA
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Holding Current Ih Max
60 mA
Brand
WeEn Semiconductors
Factory Pack Quantity
800
Mounting Style
SMD/SMT
Package/Case
D2PAK-3
Packaging
Reel
Product Category
Triacs
RoHS
Details
Subcategory
Thyristors
Описание
BTA316B-600B0J WeEn Semiconductors
В каталоге Components.by представлен электронный компонент BTA316B-600B0J WeEn Semiconductors . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BTA316B-600B0J , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet

