История:
017004
TMMDB3TG
100484
094089
021802
009258
186166
094142
101960
101892
096180
048795
030394
094086
096166
100486
E-WS
048779
AM1705DPTPD4
20488
WS1.5
101950
LS1017ASE7HNA
049593
100481
DA-003-FS
048792
055000
DS2.5
AD790JRZ
048786
105366
DS10
9EL2
024179
048784
DB3TG
DS16
010641
094151
024058
GA040TH65
024589
LS1017ASE7PQA
062005
024177
AM1705DPTP4
AM1705DPTP3
025199
024061
096402
030396
E-PC
STB2.5
096325
024222
L313F
DB3WSEL
SMDB3
024659
STB10
059986
STB16
024084
096331
5402000
190264
024588
STB6
024592
024063
094841
STB4
024178
024490
024474
094100
024657
PM-RJ45-SR7E02-RJ45-C1078
062000
DB4
DB3
065166
024656
AD8468WBKSZ-R7
CAP-RJ45-C1078
010643
186169
106987
106985
106986
054635
AD8465WBCPZ-R7
AD8611ARMZ-R2
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Полевые транзисторы
Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET)
Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET)
| Товар | Цена | Manufacturer | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | Gate-Source Cut-off Voltage | Drain-Source Current at Vgs=0 | Id - Continuous Drain Current | Maximum Drain Gate Voltage | Pd - Power Dissipation | Rds On - Drain-Source Resistance | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Operating Temperature Range | Unit Weight | Configuration | Forward Transconductance - Min | Mounting Style | Technology | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
поиск предложений
|
Toshiba | N-Channel | 10 V | - 50 V | - 0.2 V | 1.2 mA | 0.5 mA | - 50 V | 100 mW | - 55 C | + 125 C | 28 mg | SMD/SMT | Si | |||||
|
|
поиск предложений
|
Toshiba | N-Channel | Si | ||||||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
Toshiba | N-Channel | - 1.5 V | 14 mA | - 50 V | 100 mW | 5 mg | Single | SMD/SMT | Si | |||||||||
|
|
поиск предложений
|
ON Semiconductor | N-Channel | 15 V | - 15 V | 5 mA | 50 mA | 200 mW | - 55 C | + 150 C | 11,600 mg | Single | Si | |||||||
|
|
поиск предложений
|
ON Semiconductor | N-Channel | 15 V | 50 mA | 50 mA | 200 mW | 8 mg | Si | |||||||||||
|
|
поиск предложений
|
ON Semiconductor | N-Channel | 15 V | 50 mA | 50 mA | 200 mW | 8 mg | Si | |||||||||||
|
|
поиск предложений
|
ON Semiconductor | N-Channel | - 30 V | 1.5 mA to 7 mA | 350 mW | 200 mg | Single | 0.0045 S | Through Hole | Si | |||||||||
|
|
поиск предложений
|
ON Semiconductor | N-Channel | - 40 V | 100 mA | 250 mW | 8 mg | Single | SMD/SMT | Si | ||||||||||
|
|
поиск предложений
|
ON Semiconductor | N-Channel | - 40 V | 80 mA | 250 mW | 60 Ohms | 8 mg | Single | SMD/SMT | Si | |||||||||
|
|
поиск предложений
|
Central Semiconductor | N-Channel | 40 V | 40 V | 50 mA to 150 mA | 50 mA | 350 mW | 30 Ohms | - 55 C | + 150 C | 39,856 mg | Single | SMD/SMT | Si | |||||
|
|
поиск предложений
|
Central Semiconductor | N-Channel | 40 V | 40 V | 10 V | 150 mA | 50 mA | 40 V | 350 mW | 30 Ohms | - 65 C | + 150 C | Single | SMD/SMT | Si | ||||
|
|
поиск предложений
|
Central Semiconductor | N-Channel | 40 V | 40 V | 25 mA to 75 mA | 50 mA | 350 mW | 60 Ohms | - 55 C | + 150 C | 8,500 mg | Single | SMD/SMT | Si | |||||
|
|
поиск предложений
|
Central Semiconductor | N-Channel | 40 V | 40 V | 5 mA to 30 mA | 50 mA | 350 mW | 100 Ohms | - 55 C | + 150 C | 8 mg | Single | SMD/SMT | Si | |||||
|
|
поиск предложений
|
Central Semiconductor | N-Channel | 30 mA | 0.2 uA | 40 V | 350 mW | 100 Ohms | - 65 C | + 150 C | Single | SMD/SMT | Si | |||||||
|
|
поиск предложений
|
Central Semiconductor | N-Channel | 78 mg | Si | |||||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
Central Semiconductor | N-Channel | Si | ||||||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
Central Semiconductor | N-Channel | Si | ||||||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
Central Semiconductor | P-Channel | 15 V | 30 V | 3 V to 6 V | 30 V | 350 mW | 125 Ohms | - 65 C | + 150 C | Single | SMD/SMT | Si | ||||||
|
|
поиск предложений
|
Central Semiconductor | P-Channel | 15 V | 30 V | 30 V | 30 V | 350 mW | 125 Ohms | - 65 C | + 150 C | Single | SMD/SMT | Si | ||||||
|
|
поиск предложений
|
Central Semiconductor | P-Channel | 15 V | 30 V | 1 V to 4 V | 30 V | 350 mW | 250 Ohms | - 65 C | + 150 C | Single | SMD/SMT | Si | ||||||
|
|
поиск предложений
|
Central Semiconductor | P-Channel | 15 V | 30 V | 1 V to 4 V | 30 V | 350 mW | 250 Ohms | - 65 C | + 150 C | Single | SMD/SMT | Si | ||||||
|
|
поиск предложений
|
ON Semiconductor | N-Channel | Si | ||||||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
ON Semiconductor | N-Channel | Si | ||||||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
|||||||||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
ON Semiconductor | N-Channel | Si |
