Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
| Товар | Цена | Manufacturer | Collector-Emitter Voltage | Collector-Emitter Saturation Voltage | Maximum Gate Emitter Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Power Dispation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
поиск предложений
|
ON Semiconductor | ||||||
|
|
поиск предложений
|
ON Semiconductor | 650 V | 1.85 V | 20 V | 80 A | 267 W | |
|
|
поиск предложений
|
ON Semiconductor | 650 V | 1.6 V | 20 V | 100 A | 268 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | 650 V | 1.6 V | 30 V | 74 A | 250 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | 650 V | 1.66 V | 30 V | 74 A | 250 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | 650 V | 1.66 V | 30 V | 80 A | 270 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | 650 V | 1.66 V | 30 V | 80 A | 270 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||
|
|
поиск предложений
|
Microchip | ||||||
|
|
поиск предложений
|
Microchip | ||||||
|
|
поиск предложений
|
Microchip | 600 V | 1.5 V | 30 V | 229 A | 625 W | |
|
|
поиск предложений
|
Microchip | ||||||
|
|
поиск предложений
|
Microchip | ||||||
|
|
поиск предложений
|
Microchip | ||||||
|
|
поиск предложений
|
Microchip |
IGBT транзисторы — это современные полупроводниковые приборы, которые сочетают в себе преимущества биполярных транзисторов и MOSFET. Они широко используются в силовой электронике для управления высокими напряжениями и токами, обеспечивая эффективную и стабильную работу оборудования.
Каждый IGBT транзистор отличается высокой скоростью переключения, низкими потерями и надежностью, что делает такие компоненты востребованными как в промышленности, так и в электронике.
Что такое IGBT транзистор?
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это транзистор с комбинированной структурой, в которой используется изолированный затвор и биполярный выходной каскад. По сути, это транзистор с изолированным затвором, который управляется напряжением и способен работать с большими нагрузками.
Принцип работы основан на управлении током через подачу сигнала на затвор. При этом обеспечивается:
- высокая эффективность
- минимальные потери энергии
- стабильная работа при больших нагрузках
Такие характеристики делают IGBT ключевым элементом в силовой электронике.
Виды IGBT транзисторов
В каталоге представлены различные типы IGBT, отличающиеся по параметрам и конструкции.
По конструктивному исполнению
- одиночные транзисторы;
- модули (сборки из нескольких элементов);
- компоненты для монтажа на радиатор.
По основным характеристикам
IGBT транзисторы различаются по:
- максимальному напряжению;
- рабочему току;
- мощности рассеивания;
- скорости переключения.
Выбор конкретной модели зависит от требований к системе и условий эксплуатации.
Основные характеристики
При выборе IGBT важно учитывать ключевые параметры, которые влияют на эффективность и надежность работы.
Основные характеристики:
- Максимальное напряжение (Vce) — допустимое напряжение.
- Ток коллектора (Ic) — рабочий ток.
- Мощность рассеивания — влияет на нагрев.
- Напряжение управления — параметры сигнала на затворе.
- Тип корпуса — влияет на монтаж и охлаждение.
- Скорость переключения — важна для высокочастотных схем.
Правильный подбор параметров позволяет снизить потери энергии и увеличить срок службы устройства.
Как выбрать IGBT транзистор?
Выбор IGBT транзистора зависит от задач и характеристик электрической схемы. Чтобы не ошибиться, учитывайте:
- Рабочее напряжение и ток. Должны соответствовать параметрам системы.
- Тип нагрузки. Активная или индуктивная.
- Частота переключения. Влияет на эффективность работы.
- Охлаждение. При высоких нагрузках требуется радиатор.
- Форм-фактор и монтаж. Для платы или для силовых модулей.
Если вы планируете купить IGBT транзисторы, важно учитывать все параметры системы и выбирать компоненты с запасом по характеристикам.
Преимущества покупки в Michip
В каталоге представлены IGBT транзисторы с различными характеристиками, что позволяет подобрать оптимальное решение под любые задачи.
Преимущества:
- широкий ассортимент моделей;
- решения для различных уровней мощности
- проверенные производители
- удобный подбор по параметрам
- быстрая обработка заказов
IGBT транзисторы — это ключевые компоненты современной силовой электроники, обеспечивающие эффективное управление энергией и надежную работу оборудования.
Обратитесь за консультацией, чтобы подобрать подходящий IGBT транзистор под ваши задачи.