AFGHL40T65SPD
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
AFGHL40T65SPD
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.85 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
80 A
Power Dispation
267 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-AFGHL40T65SPD: Биполярный транзистор с изолированным затвором