Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
HGTG10N120BND

HGTG10N120BND

HGTG10N120BND
HGTG10N120BND
Артикул: HGTG10N120BND
Описание: HGTG10N120BND
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.45 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 17 A
Power Dispation 298 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-HGTG10N120BND: Биполярный транзистор с изолированным затвором
В наличии
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.45 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 17 A
Power Dispation 298 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-HGTG10N120BND: Биполярный транзистор с изолированным затвором