Результат поиска
| Фото | Название | Количество | Поставка | Цена |
|---|---|---|---|---|
|
HGTG10N120BND
Insulated-gate bipolar transistor-HGTG10N120BND: Биполярный транзистор с изолированным затвором К сравнению |
поиск предложений
|
Страницы 1
Удаленный склад
| Код и фото | Наименование | Кол-во | Поставка | Цена | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
#2015882052![]() |
ONS HGTG10N120BND, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А IGBT транзисторы | 0.00 шт. | под заказ | 12.88 BYN |

Релейная защита и автоматика
Электропитание
Паяльное оборудование
Полупроводниковые приборы
Соединители
