Минск, Одесская 14, офис 5

Пн-пт: 9:00 - 17:30
[email protected]

+375 (17) 513-70-10 +375 (44) 761-18-88

Каталог электронных компонентов

Пн-пт: 9:00 - 17:30

[email protected]

phone

История: BTB10-600BWRG Z0103NN5AA4 48-M1000-3 APTGT100A120TG FGH60N60SFTU CST29/19/7.5-4S2 KWant250-1C24SDP TD320N16SOFHPSA1 AUIRGF66524D0 IXGH30N120C3H1 Z0103MN 5AA4 ZV4M0805101NIR1 5M160ZM100C5N FF1000R17IE4 QJ8040KH7TP AC0603FR-07121RL ROD6/25-3C90 DGH95-01P-41 APTGT25X120T3G FF1000R17IE4D_B2 RM4/I-3C96 F3L150R12W2H3_B11 BCR 142 E6327 DG16R-B-02P STGW40NC60KD AT90PWM316-16MUR 0W888-002-XTP K1500E70 ROD8/100-3C90 BCR 183 E6433 AC0603FR-07150RL Q6040PH5-E ROD8/50-3C90 AC0603FR-07102RL TIG074E8-TL-H FF200R17KE3_S4 AC0603FR-0718R2L DCW12W8-05 BTB16-600BWRG AC0603FR-07274RL RM14/I-3F4 KWant250-1C05SDP

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

HGTG10N120BND

HGTG10N120BND

Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.

Нет в наличии

Артикул:

HGTG10N120BND

Описание: HGTG10N120BND

Характеристики

Manufacturer ON Semiconductor

Collector-Emitter Voltage 1200 V

Collector-Emitter Saturation Voltage 2.45 V

Maximum Gate Emitter Voltage 20 V

Continuous Collector Current at 25 C 17 A

Power Dispation 298 W

Описание

Insulated-gate bipolar transistor-HGTG10N120BND: Биполярный транзистор с изолированным затвором

IGBT-транзистор HGTG10N120BND в каталоге Components.by