История:
EP2C5AF256I8N
| Фото | Наименование | Количество | Поставка | Цена |
|---|---|---|---|---|
|
К сравнению
|
FF1000R17IE4D_B2
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1000R17IE4D_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
|
поиск предложений
|
1
