История:
F3L150R12W2H3_B11
MDD142-12N1
Результат поиска
| Фото | Название | Количество | Поставка | Цена |
|---|---|---|---|---|
|
F3L150R12W2H3_B11
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L150R12W2H3_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором К сравнению |
поиск предложений
|
Страницы 1

Релейная защита и автоматика
Электропитание
Паяльное оборудование
Полупроводниковые приборы
Разъемы