Тактовый буфер
| Товар | Количество | Цена | Описание | Duty Cycle - Max | Height | Input Type | Length | Manufacturer | Max Output Freq | Maximum Input Frequency | Maximum Operating Temperature | Minimum Operating Temperature | Moisture Sensitive | Number of Outputs | Operating Supply Current | Output Type | Propagation Delay - Max | Supply Voltage - Max | Supply Voltage - Min | Unit Weight | Width | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Тактовый буфер 5PB1104PGGI Renesas / IDT
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 5PB1104PGGI Renesas…
Подробнее
|
LVCMOS | Renesas Electronics | 200 MHz | 200 MHz | + 105 C | - 40 C | 4 Output | 20 mA | LVCMOS | 2.9 ns | 3.465 V | 1.71 V | 158 mg | ||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Тактовый буфер 5PB1104PGGI8 Renesas / IDT
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 5PB1104PGGI8 Renesas…
Подробнее
|
Renesas Electronics | 384,871 mg | |||||||||||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Тактовый буфер 5PB1104PGGK Renesas / IDT
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 5PB1104PGGK Renesas…
Подробнее
|
LVCMOS | Renesas Electronics | 200 MHz | + 105 C | - 40 C | 4 Output | 20 mA | LVCMOS | 2.4 ns | 3.465 V | 1.71 V | 191 mg | |||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Тактовый буфер 5PB1104PGGK8 Renesas / IDT
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 5PB1104PGGK8 Renesas…
Подробнее
|
LVCMOS | Renesas Electronics | 200 MHz | + 105 C | - 40 C | 4 Output | 20 mA | LVCMOS | 2.4 ns | 3.465 V | 1.71 V | 191 mg | |||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Тактовый буфер 5PB1106CMGI Renesas / IDT
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 5PB1106CMGI Renesas…
Подробнее
|
LVCMOS | Renesas Electronics | 200 MHz | 200 MHz | + 105 C | - 40 C | 6 Output | LVCMOS | 2.9 ns | 3.465 V | 1.71 V | 57,100 mg | |||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Тактовый буфер 5PB1106CMGI8 Renesas / IDT
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 5PB1106CMGI8 Renesas…
Подробнее
|
Renesas Electronics | 583,767 mg | |||||||||||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Тактовый буфер 5PB1106CMGK Renesas / IDT
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 5PB1106CMGK Renesas…
Подробнее
|
LVCMOS | Renesas Electronics | 200 MHz | + 105 C | - 40 C | 6 Output | 25 mA | LVCMOS | 2.7 ns | 3.3 V | 1.8 V | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Тактовый буфер 5PB1106CMGK8 Renesas / IDT
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 5PB1106CMGK8 Renesas…
Подробнее
|
LVCMOS | Renesas Electronics | 200 MHz | + 105 C | - 40 C | 6 Output | 25 mA | LVCMOS | 2.7 ns | 3.3 V | 1.8 V | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Тактовый буфер 5PB1106PGGI Renesas / IDT
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 5PB1106PGGI Renesas…
Подробнее
|
LVCMOS | Renesas Electronics | 200 MHz | 200 MHz | + 105 C | - 40 C | 6 Output | LVCMOS | 2.9 ns | 3.465 V | 1.71 V | 140,300 mg | |||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Тактовый буфер 5PB1106PGGI8 Renesas / IDT
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 5PB1106PGGI8 Renesas…
Подробнее
|
Renesas Electronics | 1,750 g | |||||||||||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Тактовый буфер 5PB1106PGGK Renesas / IDT
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 5PB1106PGGK Renesas…
Подробнее
|
LVCMOS | Renesas Electronics | 200 MHz | + 105 C | - 40 C | 6 Output | 25 mA | LVCMOS | 2.7 ns | 3.3 V | 1.8 V | 173 mg | |||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Тактовый буфер 5PB1106PGGK8 Renesas / IDT
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 5PB1106PGGK8 Renesas…
Подробнее
|
LVCMOS | Renesas Electronics | 200 MHz | + 105 C | - 40 C | 6 Output | 25 mA | LVCMOS | 2.7 ns | 3.3 V | 1.8 V | 173 mg | |||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Тактовый буфер 5PB1108CMGI Renesas / IDT
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 5PB1108CMGI Renesas…
Подробнее
|
LVCMOS | Renesas Electronics | 200 MHz | 200 MHz | + 105 C | - 40 C | 8 Output | LVCMOS | 2.9 ns | 3.465 V | 1.71 V | 57,100 mg | |||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Тактовый буфер 5PB1108CMGI8 Renesas / IDT
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 5PB1108CMGI8 Renesas…
Подробнее
|
Renesas Electronics | 190,733 mg | |||||||||||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Тактовый буфер 5PB1108CMGK Renesas / IDT
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 5PB1108CMGK Renesas…
Подробнее
|
LVCMOS | Renesas Electronics | 200 MHz | + 105 C | - 40 C | 8 Output | 35 mA | LVCMOS | 2.7 ns | 3.3 V | 1.8 V | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Тактовый буфер 5PB1108CMGK8 Renesas / IDT
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 5PB1108CMGK8 Renesas…
Подробнее
|
LVCMOS | Renesas Electronics | 200 MHz | + 105 C | - 40 C | 8 Output | 35 mA | LVCMOS | 2.7 ns | 3.3 V | 1.8 V | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Тактовый буфер 5PB1108PGGI Renesas / IDT
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 5PB1108PGGI Renesas…
Подробнее
|
LVCMOS | Renesas Electronics | 200 MHz | 200 MHz | + 105 C | - 40 C | 8 Output | LVCMOS | 2.9 ns | 3.465 V | 1.71 V | 173 mg | |||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Тактовый буфер 5PB1108PGGI8 Renesas / IDT
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 5PB1108PGGI8 Renesas…
Подробнее
|
Renesas Electronics | 1,136 g | |||||||||||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Тактовый буфер 5PB1108PGGK Renesas / IDT
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 5PB1108PGGK Renesas…
Подробнее
|
LVCMOS | Renesas Electronics | 200 MHz | + 105 C | - 40 C | 8 Output | 35 mA | LVCMOS | 2.7 ns | 3.3 V | 1.8 V | 173 mg | |||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Тактовый буфер 5PB1108PGGK8 Renesas / IDT
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 5PB1108PGGK8 Renesas…
Подробнее
|
LVCMOS | Renesas Electronics | 200 MHz | + 105 C | - 40 C | 8 Output | 35 mA | LVCMOS | 2.7 ns | 3.3 V | 1.8 V | 173 mg | |||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Тактовый буфер 5PB1110NDG2 Renesas / IDT
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 5PB1110NDG2 Renesas…
Подробнее
|
Renesas Electronics | ||||||||||||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Тактовый буфер 5PB1110NDG28 Renesas / IDT
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 5PB1110NDG28 Renesas…
Подробнее
|
Renesas Electronics | ||||||||||||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Тактовый буфер 5PB1110NDGI Renesas / IDT
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 5PB1110NDGI Renesas…
Подробнее
|
LVCMOS | Renesas Electronics | 200 MHz | 200 MHz | + 105 C | - 40 C | 10 Output | 40 mA | LVCMOS | 2.9 ns | 3.465 V | 1.71 V | 123 mg | ||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Тактовый буфер 5PB1110NDGI8 Renesas / IDT
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 5PB1110NDGI8 Renesas…
Подробнее
|
Renesas Electronics | 488,500 mg | |||||||||||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Тактовый буфер 5PB1110NDGK Renesas / IDT
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 5PB1110NDGK Renesas…
Подробнее
|
LVCMOS | Renesas Electronics | 200 MHz | + 105 C | - 40 C | 10 Output | 40 mA | LVCMOS | 2.5 ns | 3.3 V | 1.8 V |
