Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
F3L25R12W1T4B27BOMA1

F3L25R12W1T4B27BOMA1

F3L25R12W1T4B27BOMA1
F3L25R12W1T4B27BOMA1
Артикул: F3L25R12W1T4B27BOMA1
Описание: F3L25R12W1T4B27BOMA1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Configuration 3-Phase
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 25 A
Power Dissipation 215 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L25R12W1T4B27BOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Configuration 3-Phase
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 25 A
Power Dissipation 215 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L25R12W1T4B27BOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet