История:
F3L25R12W1T4B27BOMA1
DG271V-5.0-02P
| Фото | Наименование | Количество | Поставка | Цена |
|---|---|---|---|---|
|
К сравнению
|
F3L25R12W1T4B27BOMA1
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L25R12W1T4B27BOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
|
поиск предложений
|
1
