Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FF150R12RT4

FF150R12RT4

FF150R12RT4
FF150R12RT4
Артикул: FF150R12RT4
Описание: FF150R12RT4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.75 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 150 A
Power Dissipation 790 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF150R12RT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.75 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 150 A
Power Dissipation 790 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF150R12RT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet