Результат поиска
| Фото | Название | Количество | Поставка | Цена |
|---|---|---|---|---|
|
FF150R12RT4
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF150R12RT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором К сравнению |
поиск предложений
|
Страницы 1
Удаленный склад
| Код и фото | Наименование | Кол-во | Поставка | Цена | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
#2001377910![]() |
Infineon FF150R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт Силовые IGBTи SiC модули | 0.00 шт. | под заказ | 272.30 BYN | ||
#2017233745![]() |
Greegoo FF150R12RT4, IGBT модуль 150А 1200В, полумост [HALF-BRIDGE 1] Силовые IGBTи SiC модули | 0.00 шт. | под заказ | 379.76 BYN |

Релейная защита и автоматика
Электропитание
Паяльное оборудование
Полупроводниковые приборы
Разъемы

![Greegoo FF150R12RT4, IGBT модуль 150А 1200В, полумост [HALF-BRIDGE 1] Силовые IGBTи SiC модули](https://doc.platan.ru/img_base/nn_jpg/2017233745.jpg)