Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FP35R12W2T4

FP35R12W2T4

FP35R12W2T4
FP35R12W2T4
Артикул: FP35R12W2T4
Описание: FP35R12W2T4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Configuration Hex
Continuous Collector Current 54 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP35R12W2T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Configuration Hex
Continuous Collector Current 54 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP35R12W2T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet