История:
FP35R12W2T4
V20E460PL2B
STM32WB30CEU5A
BK32007502
Результат поиска
| Фото | Название | Количество | Поставка | Цена |
|---|---|---|---|---|
|
FP35R12W2T4
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP35R12W2T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором К сравнению |
поиск предложений
|
||
|
FP35R12W2T4PB11BPSA1
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP35R12W2T4PB11BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором К сравнению |
поиск предложений
|
||
|
FP35R12W2T4PBPSA1
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP35R12W2T4PBPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором К сравнению |
поиск предложений
|
||
|
FP35R12W2T4_B11
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP35R12W2T4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором К сравнению |
поиск предложений
|
Страницы 1
Удаленный склад
| Код и фото | Наименование | Кол-во | Поставка | Цена | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
#2015340954![]() |
YJ MG35P12P3, IGBT модуль, 1200В, 35A, 215Вт (P3) = FP35R12W2T4 (Infineon) = 7MBR35VKD120-50 (FUJI) Силовые IGBTи SiC модули | 0.00 шт. | под заказ | 177.50 BYN | ||
#2015547998![]() |
Infineon FP35R12W2T4BOMA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 35A Силовые IGBTи SiC модули | 0.00 шт. | под заказ | 121.28 BYN |

Релейная защита и автоматика
Электропитание
Паяльное оборудование
Полупроводниковые приборы
Разъемы

