FP35R12W2T4
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
54 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP35R12W2T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet