История:
APT33GF120B2RDQ2G
STGIB10CH60S-E
APTGT100DA120T1G
6MS16017P43W40383
2305-1HDCGI8
5M80ZE64A5N
K2500E70RP2
T825T-6I
T410-600T
DBYR-02A28-C04
2305A-1DCGI8
A1225UA4LTP
APTGT75H120TG
T1035H-6G
B59008C0070A040
BTA25-800BW
Q8040K7TP
BTA26-600BWRG
AC0201FR-0730K1L
FGH40N60SFTU
RM5/I-3F36
RM12/I-3F4
APT100GT120JU3
AC0201FR-071K37L
APTGT400U170D4G
T835H-6I
APT200GN60JDQ4
STGIB15CH60S-E
STB2.5-QU-PE
AC0603FR-07115RL
APT100GN60LDQ4G
5M160ZM68C4N
2N2327 PBFREE
FS3L50R07W2H3_B11
AC0201FR-076K04L
IFCM20U65GDXKMA1
DG24-4-12P
AC0201FR-0780K6L
APTGT200DU60TG
BD3/1/4-4S2
2DD1664P-13 Diodes Incorporated
Нет в наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-89-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
32 V
Collector- Base Voltage VCBO
40 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Gain Bandwidth Product fT
280 MHz
Pd - Power Dissipation
1000 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
DC Collector/Base Gain hFE Min
82
Factory Pack Quantity
2500
Height
1.5 mm
Length
4.5 mm
Maximum DC Collector Current
1 A
Mounting Style
SMD/SMT
Packaging
Reel
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
RoHS
Details
Series
2DD16
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Unit Weight
52 mg
Width
2.48 mm
Описание
Биполярный транзистор 2DD1664P-13 Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2DD1664P-13 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2DD1664P-13 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Биполярный транзистор 2DD1664P-13 Diodes Incorporated купить в Минске в каталоге Components.by

